常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究  

Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of TiSi2 Films on Glass

作　　者：杜军[1,2] 杜丕一[1] 韩高荣[1] 翁文剑[1] 汪建勋[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027 [2]南昌大学化学工程系,南昌330029

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第z1期68-71,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金(No.50372057和No.50332030)和国家高技术研究发展计划(863)(No.2004AA32G040)资助

摘　　要：高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发现:反应在温度低于680℃时,为反应控制;在高于680℃时,为传质控制.在700℃,Si/Ti摩尔比为3时,生成的TiSi2为低电阻的正交面心晶型(C54)TiSi2.Ti5Si3相和Si相的存在,对薄膜电阻的降低不利.TiSi2晶相含量越多,结晶越好,则电阻越小.

关 键 词：化学气相沉积 硅化钛 薄膜 

分 类 号：TQ171.72+4[化学工程—玻璃工业] TQ134.1+1[化学工程—硅酸盐工业]