掩蔽层

作品数：12被引量：9H指数：1
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一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法
《电子与封装》2014年第1期41-43,47,共4页王敏妲 孙建洁 陈海峰 
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上...
关键词：硅化钛 多晶栅 掩蔽层 
Al薄膜剥离法图形化的工艺研究
《电子制作》2013年第5X期40-41,共2页马睿 蔡长龙 
Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al薄膜图形化的工艺参数。
关键词：Al薄膜 掩蔽层 剥离 图形化 
MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究
《电子测试》2013年第4X期71-72,共2页马睿 蔡长龙 
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。
关键词：MgO薄膜 刻蚀选择比 掩蔽层 图形化 
双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀
《半导体技术》2012年第2期130-134,共5页郑志霞 
福建省高校产学研合作重大基金项目(3502Z20103012);莆田市自然科学基金区域重大项目(2010G03)
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单...
关键词：石英晶体 阳极键合 高深宽比 刻蚀 射频功率 
Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2011年第1期121-125,共5页杨翰飞 杨治美 廖熙 龚敏 孙小松 
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残...
关键词：立方碳化硅 选择生长 掩蔽层 衍射峰位置 残余应力 
硅的深槽刻蚀技术研究被引量：7
《微电子学》2004年第1期45-47,共3页欧益宏 周明来 张正元 
　研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解...
关键词：硅 深槽刻蚀技术 等离子刻蚀机 掩蔽层 氟基气体 各向异性 
90nm器件将在2004年生产
《中国集成电路》2002年第7期94-101,共8页Laura peters 卢文豪 
在美国半导体工业发展蓝图的积极引导下,预计2004年底(甚至也可能在2003年)将生产半节距为90nm的DRAM及栅长为37nm的微处理器等高性能器件。但是这种加速所付出的代价是减少了各代器件之间验证新材料、新工艺、新产品的可靠性所需要的...
关键词：电介质 发展蓝图 器件 晶体管 抗蚀剂 光刻工艺 微处理器 封装可靠性 阻挡层 掩蔽层 
机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备被引量：1
《郑州大学学报（自然科学版）》2000年第4期43-45,共3页郜小勇 卢景霄 李维强 
河南省自然科学基金资助项目.
结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果 ,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法 .实验结果表明 ,10 0 0℃氧化温度下采用干 -湿 -干氧化法 ,经过 70分钟可生长 35 0 nm～45 0 nm厚的二氧化硅层 .这不仅大大缩...
关键词：机械刻槽 深埋电极 太阳电池 分凝系数 掩蔽层 二氧化硅 
地震折射法中掩蔽层问题的一种近似解
《吉林水利》1997年第8期31-33,共3页刘晶海 
关键词：掩蔽层 地震折射法 时距曲线 平均速度 实际深度 覆盖层 折射界面 层速度 有效速度 速度倒转层 
用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
《华东师范大学学报（自然科学版）》1995年第4期44-48,共5页何奕骅 许春芳 范焕章 孙卓 王学军 郑志豪 朱建中 杨申仲 
本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（...
关键词：金刚石 选择性 PETEOS氧化硅 掩蔽层 
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