王敏妲

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一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法
《电子与封装》2014年第1期41-43,47,共4页王敏妲 孙建洁 陈海峰 
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上...
关键词：硅化钛 多晶栅 掩蔽层 
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