孙小松

作品数：20被引量：39H指数：3
导出分析报告
供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：SI基光致发光LPCVD多孔硅3C-SIC更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《低温物理学报》《教育科学论坛》《四川大学学报（自然科学版）》《光散射学报》更多>>
所获基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划四川省科技攻关计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高分子网络凝胶法制备Eu∶YAG纳米粉体及其表征被引量：2
《半导体光电》2014年第3期457-460,共4页罗建勇 陈寰 姜龙 孙玉阳 曾天 晋勇 焦志峰 龚敏 刘俊刚 孙小松 
利用高分子网络凝胶法制备了Eu∶YAG纳米粉体,样品的性能通过热重-差热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激发谱和发光光谱进行了表征。结果表明,Eu∶YAG纳米晶体的形成温度为900℃,比固相反应法低700℃;Eu∶YAG...
关键词：Eu∶YAG纳米粉体 高分子网络凝胶 结晶 形貌 发光 
在硅片上电沉积不同形貌的ZnO纳米结构的研究
《半导体光电》2014年第3期446-450,506,共6页陈寰 罗建勇 姜龙 孙玉阳 曾天 晋勇 焦志峰 龚敏 刘俊刚 孙小松 
采用简单的电化学沉积方法,通过调节电解液浓度和pH值,在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱等表征手段对不同形貌的ZnO纳米结构进行了研究。研究发现,通过调节沉积条件,可以获得纳米棒、纳米...
关键词：ZNO 电化学沉积 形貌 光致发光 
高分子网络凝胶法制备Nd∶YAG纳米粉体及其表征
《半导体光电》2013年第3期456-459,共4页徐晶晶 冯欢欢 孙丛立 陈寰 罗建勇 晋勇 焦志峰 龚敏 孙小松 刘俊刚 
以Al(NO3)3.9H2O、Y(NO3)3.6H2O和Nd(NO3)3.6H2O为原材料,丙烯酰胺和N′N-亚甲基双丙烯酰胺为单体和网络剂,采用高分子网络凝胶法制备了Nd∶YAG纳米粉体。分别用热重-差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和荧光分光光...
关键词：Nd∶YAG 高分子网络凝胶 形貌 发光性能 
电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究被引量：3
《半导体光电》2011年第3期375-379,共5页刘东来 聂二勇 张云森 袁超 沈晓帆 杨治美 刘俊刚 龚敏 孙小松 
四川省科学基金项目(SCST2006Z08-001-02)
利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步...
关键词：多孔硅 电化学阳极氧化 氢饱和处理 光致发光 
Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2011年第1期121-125,共5页杨翰飞 杨治美 廖熙 龚敏 孙小松 
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残...
关键词：立方碳化硅 选择生长 掩蔽层 衍射峰位置 残余应力 
Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2010年第6期1331-1334,共4页廖熙 杨治美 杨翰飞 龚敏 孙小松 
采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH_4和H_2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H_2作为稀释与运载气体,CH_4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析...
关键词：立方碳化硅 反向外延 表面碳化 霍尔迁移率 
高温超导量子干涉器件在磁性粒子标记免疫测定中的应用被引量：1
《低温物理学报》2010年第4期299-302,共4页高艳丽 李绍 王宁 李洁 陈莺飞 孙小松 郑东宁 
具有超顺磁特性的Fe3O4纳米磁性粒子在外场中被极化时会产生沿极化方向的宏观磁矩,当撤销极化磁场后,利用高灵敏的高温超导量子干涉仪(SQUID)测量磁性粒子的磁弛豫行为.由于小尺度的磁性粒子磁性衰减很快,其行为遵循布朗弛豫;相较而言,...
关键词：SQUID 布朗弛豫 尼尔弛豫 免疫测定 
Zn-ZnO纳米结构的制备及退火条件对其光学性能的影响
《半导体光电》2010年第4期545-549,共5页聂二勇 刘东来 张云森 杨治美 刘俊刚 龚敏 孙小松 
用电化学沉积方法在Si衬底上制备出Zn-ZnO纳米结构,并在空气中不同温度的条件下对其进行退火处理。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光度分光计对所得样品进行表征。通过对测试结果的分析和讨论发现,退火过程改变了Zn-ZnO纳米...
关键词：Zn-ZnO纳米结构 电化学沉积 退火 紫外荧光 
LPCVDSi基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探被引量：1
《光散射学报》2009年第4期304-308,共5页杨治美 张云森 廖熙 杨翰飞 晋勇 孙小松 龚敏 
本文采用LPCVD技术在高温条件下,利用甲烷和氢气混合气体作为碳源,在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现:温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响,并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的F...
关键词：立方碳化硅 薄膜 光学性质 晶格失配 热膨胀系数 
一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征被引量：3
《光散射学报》2009年第3期251-255,共5页程顺昌 杨治美 钟玉杰 何毅 孙小松 龚敏 
采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换...
关键词：立方碳化硅 拉曼散射光谱 傅里叶变换红外光谱 剩余射线带 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部