电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究  

Photoluminescence of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Anodization

作　　者：刘东来[1] 聂二勇[1] 张云森[1] 袁超[1] 沈晓帆[1] 杨治美[2] 刘俊刚[3] 龚敏[2] 孙小松[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,重庆400060 [2]四川大学物理科学与技术学院微电子科学与技术四川省重点实验室,成都610064 [3]四川大学重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2011年第3期375-379,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：四川省科学基金项目(SCST2006Z08-001-02)

摘　　要：利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。Porous silicon was prepared by electrochemical anodization on p-（100） Si substrate under different conditions.The morphology and luminescence properties of the prepared porous samples were characterized by XRD,SEM and UV spectrophotometer,respectively.It was found that the photoluminescence emission performance is strongly dependent upon the post cathodic hydrogen saturation treatment and HF corrosion process.The mechanism of post treatment is discussed.

关 键 词：多孔硅 电化学阳极氧化 氢饱和处理 光致发光 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]