Al薄膜剥离法图形化的工艺研究  

作　　者：马睿[1] 蔡长龙[1] 

机构地区：[1]西安工业大学光电微细统研究所,710032

出　　处：《电子制作》2013年第5X期40-41,共2页Practical Electronics

摘　　要：Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al薄膜图形化的工艺参数。

关 键 词：Al薄膜 掩蔽层 剥离 图形化 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]