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作 者:何奕骅[1] 许春芳[1] 范焕章[1] 孙卓[1] 王学军[1] 郑志豪[1] 朱建中[1] 杨申仲
机构地区:[1]华东师范大学电子系,华东师范大学物理系,上海冶金所信息功能材料国家重点实验室
出 处:《华东师范大学学报(自然科学版)》1995年第4期44-48,共5页Journal of East China Normal University(Natural Science)
摘 要:本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。Polycrystalline diamond films have been selectively deposited on silicon wafer with patterned PETEOS (plasma-enhanced Tetraethylorthosilicate) SiO2 masks by chemical vapor deposition from CH4 and H2 gases using a hot-filament method. The diamond nucleation densities on the SiO2 mask area and the Si surface are affected by the substrate temperature. If the substrate temperature Ts is low (750℃-820℃), the nucleation density on the SiO2 Mask area is much smaller than that on th Si surface. With increasing Ts (> 820℃), the nucleation density on the SiO2 mask area increases rapidly. If Ts is high (>850℃), the nucleation density on the SiO2 mask area will be larger than that on the Si surface.
分 类 号:TN304.18[电子电信—物理电子学]
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