SOI自对准硅化钛工艺研究  

The Research on the Process of SOI Self-Aligned TiSi_2

作　　者：石广源[1] 王莉[1] 宋哲[1] 永福[1] 张丽[2] 王芳[2] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036 [2]东北微电子研究所,辽宁沈阳110032

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2005年第3期257-259,共3页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：沈阳市科委科研项目(1032029-2-06)

摘　　要：阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.Some questions are discussed about SOI and TiSi2. Through the process of two - step rapid thermal annealing low resistance TiSi2 is formed. The optimal time and the temperature of two - step RTA are obtained, whrch forms the good process conditions of SOI self- aligned TiSi2.

关 键 词：SOI 硅化钛 自对准工艺 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]