自对准工艺

作品数：24被引量：11H指数：2
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一种低阈值抗辐照对管MOSFET器件设计及工艺研究
《机电元件》2022年第4期18-20,共3页单长玲 习毓 丁文华 
本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究。产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm^(2))、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计,以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利...
关键词：MOSFET 器件仿真 工艺技术 抗辐照 自对准工艺 
0.13μm逻辑平台自对准工艺新型器件的优化
《电子与封装》2013年第12期35-38,共4页黄晨 吕瑞霖 范建国 李由 
增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺寸的不断缩小,自对准工艺的器件结构发生了变化,其器件的不均匀性效应越来越大地被凸现出来。文章以0.13μ...
关键词：金属氧化物半导体场效应管 多晶硅 器件 
中科院宁波材料所在高效晶体硅电池技术领域取得新进展
《中国科技财富》2011年第21期19-19,共1页
中科院宁波材料技术与工程研究所万青研究组提出了一种交叉自对准工艺，采用普通丝网印刷设备研制了高效率的晶体硅太阳能电池。常规晶硅电池工艺在经过高温磷扩散后，在电池表面存在一层高浓度磷元素的磷硅玻璃层，通过波长为532nm的...
关键词：晶体硅太阳能电池 电池技术 材料技术 中科院 宁波 自对准工艺 丝网印刷设备 磷扩散 
SiB457EDK：P沟道功率MOSFET
《世界电子元器件》2009年第10期41-41,共1页
Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键词：功率MOSFET P沟道 沟道技术 低导通电阻 自对准工艺 晶体管 硅片 
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
《半导体技术》2008年第6期477-479,共3页邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc...
关键词：硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 
自对准栅型谐振隧穿晶体管试制
《高技术通讯》2007年第11期1153-1156,共4页齐海涛 冯震 李亚丽 张雄文 郭维廉 
国防科技重点实验室基金（9140C060C0603）和中国博士后科学基金（20060400189）资助项目.
针对谐振隧穿二极管（RTD）在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管（RTT...
关键词：谐振隧穿晶体管(RTT) 负阻 自对准工艺 
基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
《微电子学》2006年第5期595-597,600,共4页李文杰 戴广豪 谭开洲 王生荣 李竞春 杨谟华 
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici...
关键词：SIGE HBT BICMOS工艺 快速热退火 自对准工艺 选择性注入 
SOI自对准硅化钛工艺研究被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》2005年第3期257-259,共3页石广源 王莉 宋哲 永福 张丽 王芳 
沈阳市科委科研项目(1032029-2-06)
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
关键词：SOI 硅化钛 自对准工艺 
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期136-139,共4页李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312040)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工...
关键词：INP SHBT 自对准工艺 湿法腐蚀 
减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
《Journal of Semiconductors》2004年第8期991-994,共4页石瑞英 孙海峰 刘训春 袁志鹏 罗明雄 汪宁 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频...
关键词：自对准工艺 减小发射极宽度 提高InGaP/GaAs HBT的性能 
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