汪宁

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：减薄研磨工艺光刻胶化学机械抛光抛光更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺化学工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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双层InGaAs沟道InP HEMT
《电子器件》2006年第1期15-17,共3页尹军舰 陈立强 汪宁 张海英 刘训春 牛洁斌 
国家自然科学基金资助(60276021);国家重点基础研究规划资助(G2002CB311901)
阐述了一种新型的In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As双沟道InPHEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率,又可获得很高的直流输出电流。0.35μm栅长HEM...
关键词：HEMT IhP 双沟道 迁移率 
减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
《Journal of Semiconductors》2004年第8期991-994,共4页石瑞英 孙海峰 刘训春 袁志鹏 罗明雄 汪宁 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频...
关键词：自对准工艺 减小发射极宽度 提高InGaP/GaAs HBT的性能 
发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第7期831-835,共5页石瑞英 孙海锋 袁志鹏 罗明雄 汪宁 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词：发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z 
0.25μm GaAs基MHEMT器件被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第3期325-328,共4页石华芬 刘训春 张海英 石瑞英 王润梅 汪宁 罗明雄 
采用普通接触曝光研制成栅长为 0 .2 5 μm的 Ga As基 In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为 5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达 4 90 m A/ mm,截止频率为 75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基 In Ga P/ In Ga As ...
关键词：铟铝砷/铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管 
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