发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响  

Effect of Emitter Ballasting Resistor on In_(0.49) Ga_(0.51) P/GaAs HBT Characteristics

作　　者：石瑞英[1] 孙海锋[2] 袁志鹏[2] 罗明雄[2] 汪宁[2] 

机构地区：[1]四川大学物理学院,成都610064 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期831-835,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

摘　　要：在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。The collapse of current often occurs in multi transistors heterojunction bipolar transistors.It is demonstrated that the emitter ballasting resistor can prevent the collapse of current.Effect of emitter ballasting resistor on In 0.49 Ga 0.51 P/GaAs HBT characteristics is studied and analyzed.

关 键 词：发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]