云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- EEACC

EEACC: 作品数：15被引量：57H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：江金光王耀南周玉梅叶青黄令仪更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所复旦大学北京大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《现代电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>

0.7V,11ppm/℃,纳瓦功耗的基准源被引量：1: 《微计算机信息》2007年第29期310-312,共3页郭宝增陈迎乐王永青姚金宝; 河北省科技厅科技攻关计划项目(批准号:07217124); 介绍了一种简单的高性能基准源电路,该电路利用了工作在饱和区和亚阈值区的MOS晶体管迁移率和阈值电压温度特性进行补偿,此外还利用二极管反相偏置电流的温度特性来改进电路的高温段的特性。使用HSPICE进行模拟,结果表明在电源电压为0....; 关键词：补偿低功耗低压高精度电压源 EEACC 1205 1280 2560 2570D

混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应: 《现代电子技术》2006年第8期118-122,共5页吴晓鹏杨银堂朱樟明; 国家自然科学基金资助项目(6047G046);国防重点实验室资助项目(51433030103D20101); 衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等...; 关键词：混合信号村底噪声建模方法 EEACC 2550X 2570A

一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下):电路设计和实现被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2182-2190,共9页唐长文何捷闵昊; 上海市科学技术委员会(批准号:037062019);上海市应用材料研究与发展基金(批准号:0425)资助项目~~; 为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0·25μm1P5MCMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS...; 关键词：阶跃可变电容 MOS管可变电容开关阶跃电容电感电容压控振荡器振荡调谐曲线周期计算技术 EEACC:1230B

Fabrication and Characterization of Tunneling Current of Anodic Bonded Dry-Etched MEMS Tunneling Accelerometer被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1606-1611,共6页董海峰郝一龙贾玉斌闫桂珍王颖李婷; A tunneling accelerometer is fabricated and characterized based on the extension of the silicon-glass anodic-bonding and deep etching releasing process provided by Peking University.The tunneling current under open lo...; 关键词：tunneling effect ACCELEROMETER MEMS EEACC:0580 7280 2575

双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期823-830,共8页昝育德王俊李瑞云韩秀峰王建华于芳刘忠立王玉田王占国林兰英; 报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si; 关键词：外延 CMOS SOS EEACC 2560

发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期831-835,共5页石瑞英孙海锋袁志鹏罗明雄汪宁; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~; 在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响。; 关键词：发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z

双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期836-840,共5页陈震刘新宇吴德馨; 利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压...; 关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 电荷控制模型异质结二维电子气双平面掺杂 EEACC 1350A 2560S

HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚韩德栋杨红刘晓彦王玮王漪康晋锋韩汝琦; 国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~; 利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...; 关键词：HFO2栅介质泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530

高精度带隙基准电压源的实现被引量：28: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期852-857,共6页江金光王耀南; 国家自然科学基金 (批准号 :60 3 75 0 0 1);高校博士点基金资助项目~~; 提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电...; 关键词：高精度电流补偿温度补偿温度系数带隙基准电压源 EEACC 1280 2570D

EEACC