双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型  

An Analytical Charge Control Model of Double Planar Doped HEMTs

作　　者：陈震[1] 刘新宇[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期836-840,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系 .该模型为优化和预测双平面掺杂By using linear E f n s approximation,a new analytical charge control model of the double heterojunction double planar doped high electron mobility transistor (HEMT) is deduced based on Poisson's equation.The heterojunction band theories,the relations among the doping concentration,the distance from the gate to the top planar doped plane and the pinchoff voltage,and the 2DEG density of the device are calculated and analyzed.The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.

关 键 词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 电荷控制模型 异质结 二维电子气 双平面掺杂 EEACC 1350A 2560S 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]