云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SILC

SILC: 作品数：24被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信医药卫生更多>>; 相关作者：谭长华毛凌锋许铭真郝跃李玮更多>>; 相关机构：北京大学西安电子科技大学东华大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《表面工程：英文版》《Journal of Statistical Science and Application》《物理学报》《国际脑血管病杂志》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

What Is the Role of Work-Related Factors in Self-Reported Health Inequalities among Employed Individuals? A Longitudinal Study in Luxembourg: 《Health》2018年第9期1141-1158,共18页Anastase Tchicaya Nathalie Lorentz Kristell Leduc; Objectives: We measured health inequalities among employed Luxembourg residents over time and the socio-economic and work-related determinants. Design and Setting: Longitudinal data were obtained from the Socio-econom...; 关键词：Employment HEALTH Inequalities Working Conditions EU-SILC WORK-RELATED Factors SELF-REPORTED HEALTH

基于CT图像3D特征的肺结节检测被引量：2: 《东北大学学报（自然科学版）》2018年第2期181-185,共5页王彬赵海朱宏博朴春赫; 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(N140405004;N161608001);辽宁省科技厅重点实验室建设基金资助项目(LZ201015); 为了提高肺结节检测的性能,提出一种基于中心点连续性的肺结节检测算法.该算法使用基于简单线性迭代聚类超像素方法分割CT图像,并根据相似度合并超像素,进而得到肺部区域及疑似肺结节区域,降低了疑似肺结节的漏检率.根据各帧CT图像中疑...; 关键词：肺结节肺结节检测肺结节分割超像素 SILC 中心点连续性

血管和介入神经病学学会（SVIN）卒中介入实验室共识（SILC）标准：在大血管闭塞性卒中机械血栓切除时代用于建立卒中介入实验室的7 M管理方法: 《国际脑血管病杂志》2017年第6期481-497,共17页Tanzilia Shams Osama Zaidat Dileep Yavagal Andrew Xavier Tudor Jovin Vallabh Janardhan 段振晖胡挺朱武生; 与过去20年里心肌梗死介入治疗的发展相似，卒中介入治疗正在迅速发展。随着卒中介入治疗在全球范围内呈指数级增长，在对卒中介入实验室进行标准化以便于安全、有效和及时治疗方面显然存在未能满足的需求。为了实现这一目标，血管和介...; 关键词：急性缺血性卒中大血管闭塞血管内治疗卒中干预质量标准

Estimating Poverty in Greece in Small Geographical Areas: 《Journal of Statistical Science and Application》2017年第1期16-29,共14页Stefanos G. Giakoumatos Malapani Eleni; In this paper, the Small Area methods are presented. We use this method to produce estimates of poverty in Greece, at county （NUTS3） level. This is succeeded by combining survey data from EU-SILC 2013 with auxiliary...; 关键词：Small area model EBLUP Fay and Herriot model POVERTY EU-SILC CENSUS

Statistical Matching of EU-SILC and MC Environment for Analysing Environmental Conditions and Behaviour in Dependence of Household Income: 《Journal of Statistical Science and Application》2015年第4期111-121,共11页Alexandra Wegscheider-Pichler Alois Haslinger; The project ＂environmental conditions and behaviour depending on income and purchasing power＂ analysed the correlation between environmental impacts （e.g. noise, dust） or environmental behaviour （purchase of orga...; 关键词：statistical matching distance function environmental conditions environmental behavior

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文): 《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期637-641,共5页李哲吕垠轩何燕冬张钢刚; 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助; 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...; 关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC)

中澳英语教学项目比较——以悉尼科技大学INSEARCH学院访问为例: 《山西师大学报（社会科学版）》2014年第S3期135-136,共2页丁妍; 笔者于2012年7月在悉尼科技大学INSEARCH学院进行了学术访问,以此参与了上海大学悉尼工商学院和悉尼科技大学INSEARCH学院的英语教学项目进行,分别从学费、住宿和生活费,教学设施和师资,学习效果等方面进行了比较,分析了中国学生在国内...; 关键词：悉尼科技大学INSEARCH学院上海大学悉尼工商学院(SILC) 比较

TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第6期32-37,共6页陶芬芬杨红唐波唐兆云徐烨锋许静王卿璞闫江; Project supported by the Important National Science & Technology Specific Projects(No.2009ZX02035);the National Natural Science of China(No.61306129);the National Found for Fostering Talents of Basic Science(No.J0730318); The characteristics of TDDB （time-dependent dielectric breakdown） and SILC （stress-induced leakage current） for an ultra-thin SiO2/HfO2 gate dielectric stack are studied. The EOT （equivalent-oxide-thickness） of ...; 关键词：HFO2 TDDB SILC bulk trap interface trap

SILC效应机理及其对Flash Memory的影响: 《科技创新导报》2011年第17期105-107,共3页胡仕刚; 湖南科技大学博士启动基金项目(E51080); 随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。; 关键词：应力感应泄漏电流 MOSFET 栅氧化层

Degradation of ultra-thin gate oxide LDD NMOSFET under GIDL stress: 《Journal of Semiconductors》2009年第4期34-37,共4页胡仕刚郝跃曹艳荣马晓华吴笑峰陈炽周清军; supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 60736033, 60506020); The degradation of device under GIDL （gate-induced drain leakage current） stress has been studied using LDD NMOSFETs with 1.4 nm gate oxides. Experimental result shows that the degradation of device parameters depen...; 关键词：GIDL interface traps direct tunneling SILC

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