SILC效应机理及其对Flash Memory的影响  

作　　者：胡仕刚[1] 

机构地区：[1]湖南科技大学信息与电气工程学院,湖南湘潭411201

出　　处：《科技创新导报》2011年第17期105-107,共3页Science and Technology Innovation Herald

基　　金：湖南科技大学博士启动基金项目(E51080)

摘　　要：随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。

关 键 词：应力感应泄漏电流 MOSFET 栅氧化层 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]