何燕冬

作品数：11被引量：26H指数：3
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发文主题：MOS器件沟道漏极阈值电压衬底更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《中国集成电路》《北京大学学报（自然科学版）》《电子学报》更多>>
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人工智能芯片的研究进展被引量：10
《微纳电子与智能制造》2019年第2期20-34,共15页任源 潘俊 刘京京 何燕冬 何进 
广东省深圳市科技创新基础研究(JCYJ20170817112527562、JCYJ20180227175343343、JCYJ20170412153845293、JCYJ20170817112848591、JCYJ20180507182843072)项目资助.
在科技迅猛发展的今天,智能化在改善产品质量、提高应用效率和发展新技术方面被广泛地应用于社会的各行各业。为了突破现代化智能技术发展和应用的局限,人工智能芯片作为一种现代前沿技术和高科技产品,在信息社会中应运而生,并将在人工...
关键词：人工智能 芯片 集成电路 处理器 
6.25Gb/s串行数据接收器设计被引量：4
《微电子学与计算机》2017年第7期119-122,共4页田啸 何燕冬 
设计一款基于65nm CMOS工艺、数据传输速率在6.25Gb/s的SerDes接收器,其中均衡电路采用连续时间线性均衡器;采样电路采用了一种新型灵敏放大器,较传统结构将灵敏度提升了一个量级,同时解决了传统结构输出信号下降沿比上升沿慢一个门延...
关键词：高速串行 接收器 灵敏放大器 
SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期632-636,共5页韩临 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD...
关键词：高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化 
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期637-641,共5页李哲 吕垠轩 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC) 
电容式触摸感应技术中的电容物理学被引量：11
《电子产品世界》2009年第8期17-18,共2页何燕冬 杨龙 彭涛 
采用不同的电路算法时,不同物理特性的电容对最终的感应信号有不同的影响。高性能的电容触摸技术开发要求工程师对触摸屏的电容性质和物理机制有透彻的理解和清醒的认识。本文运用电力线基本原理,对分布在触摸屏上的不同电容特性进行了...
关键词：电容感应 电容 电力 线 
电容式触摸屏成品率控制的蒙特卡罗系统仿真
《电子设计技术 EDN CHINA》2009年第3期66-66,68,共2页彭涛 何燕冬 
深入理解某个应用的数据访问方式,可以充分利用处理器潜在的存储器和系统资源,从而开发可扩展的并行应用。
关键词：电容式触摸屏 蒙特卡罗 仿真技术 成品率 率控制 系统 6sigma 投资回报 
基于Logical Effort理论的集成电路延迟优化工具的研究
《中国集成电路》2005年第5期37-39,共3页何燕冬 许铭真 谭长华 
本文介绍了一种基于LogicalEffort理论研发的集成电路延迟优化工具,该工具综合考虑了互联引线的影响,通过计算比较不同的逻辑结构延迟来确定最佳的电路结构,同时提供逻辑门的最佳晶体管尺寸。我们以六种不同电路为设计实例,在90纳米设...
关键词：Logical EFFORT 集成电路 延迟优化 互联引线 CMOS 
用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期126-128,共3页许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:TG2000036503)
研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
关键词：氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电 
一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法
《电子学报》1999年第5期8-10,共3页解冰 何燕冬 许铭真 谭长华 
本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度．同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果...
关键词：少子寿命 瞬态电容 驰豫谱 半导体器件 设计 
脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征被引量：1
《电子学报》1996年第8期19-22,共4页何燕冬 许铭真 谭长华 
本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用差值取样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子...
关键词：少子产生寿命 脉冲MOS电容 半导体器件 
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