用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导  

Conductivity to Soft Failure of N-O-Si Thin Film Used in Nanometer Device

作　　者：许铭真[1] 谭长华[1] 何燕冬[1] 段小蓉[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子研究院,北京,100871 北京大学微电子研究院,北京,100871 北京大学微电子研究院,北京,100871 北京大学微电子研究院,北京,100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期126-128,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:TG2000036503)

摘　　要：研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.

关 键 词：氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]