谭长华

作品数：62被引量：54H指数：3
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发文主题：MOS器件MOSFET软击穿半导体器件场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《大连理工大学学报》《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家科技攻关计划更多>>
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用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
《半导体技术》2008年第S1期365-367,375,共4页许铭真 马金源 谭长华 谭映 王洁 靳磊 
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作...
关键词：比例差值谱仪 甚大规模集成电路纳米尺度器件 参数检测 
硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期369-371,共3页许铭真 谭长华 
n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境...
关键词：硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜 硅基异质结二极管 FN隧道导电机制 
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
《固体电子学研究与进展》2006年第4期466-470,共5页贾高升 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家"九七三"基础研究课题(G2000036503)的资助
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。...
关键词：金属-氧化物-半导体器件 直接隧穿栅电流 比例差分谱 多缺陷 
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1264-1268,共5页赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:G2000-036503)~~
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影...
关键词：MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区 
衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1115-1119,共5页石凯 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000036503)~~
研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以...
关键词：FLASH MEMORY 热载流子 耐久性 碰撞电离 
用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性
《中国集成电路》2006年第5期55-62,共8页石凯 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究专项经费资助(批准号:TG2000-036503);EEPROM超薄栅(<10nm)隧道氧化层可靠性评价模型研究(项目编号:JW0205)
本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用...
关键词：FLASH 阈值电流 存储器件 可靠性 评估 阈值电压 SONOS 参考电流 窗口 小功率 
基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟
《Journal of Semiconductors》2006年第4期735-740,共6页王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000036503)~~
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和...
关键词：软击穿 超薄栅氧化层 类渗流导电 电流模拟 
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期20-24,48,共6页赵要 许铭真 谭长华 
国家基础研究项目(G2000036503)资助
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 可靠性 热载流子效应 衬底正向偏置 
比例差值谱技术在微尺度器件可靠性研究中的最新应用
《中国集成电路》2006年第1期65-70,共6页纪志罡 许铭真 谭长华 
国家基础研究九七三项目(编号G2000036503)的支持。
本文应用比例差分(PDO,ProportionalDifferenceOperator)技术提出了一种新的表征微尺度MOS器件负偏置温度不稳定性(NegativeBiasTemperatureInstability,NBTI)的实验方法。和传统方法相比,这种新方法可以避免恢复效应对NBTI表征的影响...
关键词：MOS器件 微尺度 谱技术 可靠性研究 应用 比例 差值 NBTI 不稳定性 BIAS 
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期193-196,共4页许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:TG2000036503)
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第...
关键词：超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性 
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