用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性  

作　　者：石凯[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子研究院

出　　处：《中国集成电路》2006年第5期55-62,共8页China lntegrated Circuit

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助(批准号:TG2000-036503);EEPROM超薄栅(<10nm)隧道氧化层可靠性评价模型研究(项目编号:JW0205)

摘　　要：本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性。

关 键 词：FLASH 阈值电流 存储器件 可靠性 评估 阈值电压 SONOS 参考电流 窗口 小功率 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]