HALO结构

作品数：5被引量：1H指数：0
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Halo结构器件研究综述
《半导体技术》2009年第8期726-729,共4页陈昕 
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,H...
关键词：HALO结构 短沟效应 漏致势垒降低效应 工艺等比例缩小 
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第3期559-562,共4页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数...
关键词：阈值电压 二维效应 全耗尽SOI HALO结构 
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型被引量：1
《电子器件》2007年第6期2166-2169,2173,共5页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模...
关键词：阈值电压 表面势 全耗尽SOI HALO结构 
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1264-1268,共5页赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:G2000-036503)~~
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影...
关键词：MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区 
HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
《Journal of Semiconductors》2004年第4期436-440,共5页胡靖 赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ); MOTOROL A Digital DNA实验室资助项目~~
研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化...
关键词：热载流子 一次碰撞电离 二次碰撞电离 复合 
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