直接隧穿电流

作品数：5被引量：5H指数：1
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超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国 徐静平 季峰 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...
关键词：隧穿电流 自洽解 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 超薄栅介质 
纳米级MOS器件中电子直接隧穿电流的研究被引量：4
《微电子学》2006年第5期634-637,共4页杨红官 李晓阳 喻彪 戴大康 
湖南省青年骨干教师基金资助项目(521105237);湖南大学自然科学基金资助项目(521101805)
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型。通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性。计算结果表明,在纳米级MOS器件中,采用SiO2作栅...
关键词：器件物理 纳米级MOS器件 直接隧穿电流 顺序隧穿 
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1264-1268,共5页赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:G2000-036503)~~
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影...
关键词：MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区 
考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第4期419-423,共5页陈立锋 马玉涛 田立林 
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的...
关键词：量子力学效应 超薄栅氧 直接隧穿电流 二维模型 MOSFET's 
镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS结构的直接隧穿电流的影响
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1044-1047,共4页毛凌锋 卫建林 穆甫臣 谭长华 许铭真 
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达...
关键词：镜像势 直接隧穿电流 MOS结构 势垒 超薄栅 
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