喻彪

作品数：4被引量：6H指数：1
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供职机构：湖南大学更多>>
发文主题：混频器器件物理直接隧穿电流MOS器件CMOS混频器更多>>
发文领域：电子电信经济管理更多>>
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所获基金：湖南省自然科学基金湖南省普通高校青年骨干教师基金更多>>
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基于压控单元的单电子晶体管宏模型
《微计算机信息》2008年第32期262-263,248,共3页戴大康 杨红官 喻彪 曾云 
湖南省青年骨干教师培养计划项目;颁发部门:湖南省教育厅([2005]247);基金资助项目名称:基于新结构光电器件的CMOS图像传感器及其读出电路研究;颁发部门:湖南省科技厅(05JJ30115)
采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系。该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,...
关键词：单电子晶体管 等效电路 SPICE模型 宏模型 
5GHz高线性度CMOS混频器的设计被引量：1
《微计算机信息》2008年第17期300-302,共3页喻彪 杨红官 戴大康 曾云 
湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号);湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
文中分析了混频器的线性度与转换增益之间的关系,提出了一种提高Gilbert混频器线性度的方法,并设计了5GHz频段适用于802.11a标准的高线性度混频器。电路采用0.18μm CMOS工艺,通过Cadence SpectreRF仿真与优化,得到10.25dBm的1dB压缩点,...
关键词：混频器 线性度 CMOS 
堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1
《微电子学》2007年第5期636-639,643,共5页杨红官 朱家俊 喻彪 戴大康 曾云 
湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号);湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏...
关键词：直接隧穿 顺序隧穿 高介电常数栅介质 MOS器件 
纳米级MOS器件中电子直接隧穿电流的研究被引量：4
《微电子学》2006年第5期634-637,共4页杨红官 李晓阳 喻彪 戴大康 
湖南省青年骨干教师基金资助项目(521105237);湖南大学自然科学基金资助项目(521101805)
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型。通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性。计算结果表明,在纳米级MOS器件中,采用SiO2作栅...
关键词：器件物理 纳米级MOS器件 直接隧穿电流 顺序隧穿 
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