直接隧穿

作品数：19被引量：17H指数：2
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MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响
《中南大学学报（自然科学版）》2013年第4期1438-1443,共6页唐东峰 张平 龙志林 胡仕刚 吴笑峰 
国家自然科学基金资助项目(51071134);湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南省科学技术厅科技计划项目(2012GK3103)
随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行...
关键词：直接隧穿 MOSFET 栅氧化层 CMOS逻辑电路 漏电流 
电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)被引量：1
《稀有金属材料与工程》2012年第1期1-4,共4页倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠唇 
Nature Science Foundation of Zhejiang Province of China (Y4090148);National Nature Science Foundation of China (60776058)
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变...
关键词：纳米晶存储器 镍纳米晶 MOS 结构 电荷存储特性 
直接隧穿栅电流对CMOS逻辑电路的影响
《电气电子教学学报》2011年第6期52-54,111,共4页胡仕刚 吴笑峰 席在芳 
国家自然科学基金资助项目(61074051);湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南科技大学博士启动基金项目(E51080)
对于纳米级的CMOS电路,由于MOS器件具有超薄的氧化层,栅隧穿漏电流的存在严重地影响了电路的正常工作。本文基于可靠性理论和电路级仿真深入地研究直接隧穿电流对CMOS逻辑电路的影响。仿真结果很好地与理论分析相符合,这些理论和仿真将...
关键词：直接隧穿 MOSFET 栅氧化层 
超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究
《微电子学与计算机》2011年第12期133-136,共4页胡仕刚 吴笑峰 席在芳 
国家自然科学基金资助项目(61074051);湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南科技大学博士启动基金项目(E51080)
理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反...
关键词：直接隧穿 MOSFET 栅氧化层 
纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点”
《教育教学论坛》2011年第26期104-106,共3页李竞春 罗谦 于奇 王向展 
针对量子力学势垒隧穿教学难点,通过对MOS结构栅氧化层电子直接隧穿的真实模型的讨论,使量子力学从抽象走向实际,教学更生动又易于理解,同时使学生开拓眼界、活跃思维,学到运用基础理论指导科学研究的方法。
关键词：纳米MOS 直接隧穿 栅极隧穿电流 
微波作用下有直接隧穿量子点系统中的泵流特性
《物理学报》2011年第7期598-607,共10页周运清 孔令民 王瑞 张存喜 
国家自然科学基金(批准号:10947164和10947163);浙江省教育厅项目(批准号:Y200908466;Y201018926);浙江海洋学院项目;浙江省自然科学基金(批准号:Y6110250)资助的课题~~
利用演化算符的方法,研究了量子点体系中的电流以及自旋流,该体系中量子点和左右磁性电极耦合并且受到微波作用,且两电极之间有直接隧穿,得到了体系电流的解析表达式.发现对于无直接隧穿和零偏压情况,无论对称结构还是非对称结构,电流...
关键词：微波场 直接隧穿 量子点 泵流 
N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解被引量：1
《西安电子科技大学学报》2008年第5期842-845,共4页郭辉 张义门 张玉明 汤晓燕 冯倩 
国家自然科学基金资助(60476007);西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200704)
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻.针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较,结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法...
关键词：碳化硅 欧姆接触 比接触电阻 直接隧穿 WKB近似 
堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1
《微电子学》2007年第5期636-639,643,共5页杨红官 朱家俊 喻彪 戴大康 曾云 
湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号);湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏...
关键词：直接隧穿 顺序隧穿 高介电常数栅介质 MOS器件 
超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国 徐静平 季峰 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...
关键词：隧穿电流 自洽解 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 超薄栅介质 
电荷直接隧穿特征时间的计算模型被引量：1
《计算物理》2007年第1期71-77,共7页杨红官 李晓阳 刘全慧 
湖南省青年骨干教师项目;湖南大学自然科学基金(521105008)资助项目
在分析硅基纳米存储器的势结构和价带混合效应对直接隧穿过程影响的基础上,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,发展了电子和空穴直接隧穿时间的计算模型.利用该模型数值计算了硅基纳米存储器的编程时间和保留时间,讨论了结构参数和...
关键词：直接隧穿 传输哈密顿方法 纳米存储器 
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