纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点”  

作　　者：李竞春[1] 罗谦[1] 于奇[1] 王向展[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054

出　　处：《教育教学论坛》2011年第26期104-106,共3页Education And Teaching Forum

摘　　要：针对量子力学势垒隧穿教学难点,通过对MOS结构栅氧化层电子直接隧穿的真实模型的讨论,使量子力学从抽象走向实际,教学更生动又易于理解,同时使学生开拓眼界、活跃思维,学到运用基础理论指导科学研究的方法。

关 键 词：纳米MOS 直接隧穿 栅极隧穿电流 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]