超薄栅介质

作品数：11被引量：2H指数：1
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超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟 徐静平 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...
关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率 
超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国 徐静平 季峰 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...
关键词：隧穿电流 自洽解 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 超薄栅介质 
超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1306-1310,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
关键词：超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
《Journal of Semiconductors》2004年第2期227-231,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电...
关键词：注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿 
3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：1
《电子学报》2002年第2期269-270,共2页许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴 
国家自然科学基金 (No .699760 0 1 ) ;国家重点基础研究专项基金 (No .2 0 0 0 0 365)
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的...
关键词：超薄栅介质 软击穿 硼扩散 二氧化碳 
超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究
《半导体技术》1998年第4期30-36,共7页熊大菁 侯苇 
在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。
关键词：表面处理 超薄膜 均匀性 完整性 ULSI 集成电路 
超薄栅介质的击穿特性
《微电子技术》1997年第5期51-56,共6页黄卫 杜艳 
本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，E2PROM工艺和Flashmemory工艺的研究和开发提供一定的...
关键词：VLSI E^2PROM 击穿 MOS 超薄栅介质 
用微电子测试结构研究超薄栅介质的可靠性被引量：1
《电子器件》1991年第4期8-17,共10页张安康 
本文介绍了几种新颖的微电子测试结构及其应用,诸如栅氧化物可靠性评估、薄介质层击穿以及预示MOS绝缘层的边缘效应.同时讨论了超薄栅介质层的可靠性.
关键词：栅介质 可靠性 微电子测试 VLSI 
超薄栅介质的可靠性分析
《电子产品可靠性与环境试验》1990年第1期17-24,共8页张安康 
关键词：MOS 集成电路 超薄栅栅介质 可靠性 
超薄栅介质的可靠性研究
《电子器件》1989年第1期6-14,共9页张安康 
一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM...
关键词：MOS 栅介质 可靠性 集成电路 
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