超薄栅介质的击穿特性  

作　　者：黄卫 杜艳 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司中央研究所,无锡214035

出　　处：《微电子技术》1997年第5期51-56,共6页Microelectronic Technology

摘　　要：本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，E2PROM工艺和Flashmemory工艺的研究和开发提供一定的技术支撑。

关 键 词：VLSI E^2PROM 击穿 MOS 超薄栅介质 

分 类 号：TN470.5[电子电信—微电子学与固体电子学]