陈娟娟

作品数：5被引量：7H指数：2
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供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：高K栅介质D/A转换器A/D转换器低功耗巨细胞病毒更多>>
发文领域：电子电信医药卫生更多>>
发文期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《固体电子学研究与进展》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
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一种用于TCXO的三次函数电路设计被引量：4
《微电子学与计算机》2009年第11期74-77,共4页肖鹏 徐静平 陈亮亮 杨枫 陈娟娟 
基于标准CMOS工艺设计了一个三次函数发生电路,该电路能产生一个与温度呈三次函数关系的电压来对晶体振荡器进行温度补偿.通过调整电路的参数,可以对不同型号的晶体振荡器进行精确的温度补偿.电路采用CSMC0.5μm CMOS工艺实现,电路结构...
关键词：三次函数 温度补偿 CMOS工艺 
超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟 徐静平 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...
关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率 
不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响
《固体电子学研究与进展》2009年第4期593-596,共4页徐静平 张洪强 陈娟娟 张雪锋 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度...
关键词：金属-氧化物-半导体 高K栅介质 HfTaON 氮氧化铝 氮化 
低功耗14/8bit逐次逼近式A/D转换器的设计被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2009年第3期25-28,共4页徐静平 陈娟娟 邓满珍 钟德刚 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器,该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×10^5/s和0～2×10^5/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 ...
关键词：A/D转换器 D/A转换器 低功耗 逐次逼近 互补金属氧化物半导体 
用于便携式设备的12位低功耗SAR A/D转换器被引量：2
《微电子学》2008年第3期401-403,共3页陈娟娟 钟德刚 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
设计了一种适于便携式应用的低功耗12位精度逐次逼近(SAR)式A/D转换器,最高采样频率达到140KSPS,在1.8V工作电压下的功耗仅为1mW;基于0.18μm 2P4M的CMOS工艺完成版图设计,版图面积仅为0.3mm×0.35mm。在转换精度为12位、采样速率为140K...
关键词：逐次逼近 A/D转换器 D/A转换器 CMOS 
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