金属-氧化物-半导体

作品数：29被引量：34H指数：3
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相关机构：南京电子器件研究所东南大学中国科学院华中科技大学更多>>
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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应被引量：1
《物理学报》2024年第2期234-241,共8页李洋帆 郭红霞 张鸿 白如雪 张凤祁 马武英 钟向丽 李济芳 卢小杰 
本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子...
关键词：双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管 重离子辐照 单粒子烧毁 
S波段200 W硅LDMOS功率管研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第5期333-338,共6页刘洪军 赵杨杨 鞠久贵 杨兴 王佃利 杨勇 
研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 S波段 功率管 
金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景被引量：4
《物理学报》2019年第16期85-90,共6页张宁 徐开凯 陈彦旭 朱坤峰 赵建明 于奇 
国家自然科学基金(批准号:61674001,61704019);重庆市重点协作基金(批准号:180482)资助的课题~~
集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论...
关键词：硅光电子学 光互连 光源 
Y_2O_3改善HfO_2高k栅介质Ge MOS电容的电特性及可靠性
《固体电子学研究与进展》2017年第6期389-394,共6页徐火希 谢玉林 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科研资助项目(2012028803)
以Y_2O_3薄膜作为夹层,采用磁控溅射法制备了HfO_2/Y_2O_3叠层高k栅介质Ge MOS电容,并对其电特性及高场应力特性进行了仔细研究。结果表明,Y_2O_3夹层能显著地改善Ge MOS器件的界面质量、k值、栅极漏电流特性、频率色散特性和器件可靠...
关键词：Ge金属-氧化物-半导体 Y2O3夹层 界面质量 k值 
2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第6期401-405,共5页应贤炜 王佃利 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管 
YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究被引量：1
《电子学报》2017年第11期2810-2814,共5页程智翔 徐钦 刘璐 
国家自然科学基金(No.61274112,No.61176100,No.61404055).
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形...
关键词：Ge金属-氧化物-半导体 界面钝化层 YON 界面态密度 
5纳米栅长碳纳米管
《光学精密机械》2017年第1期1-2,共2页
美国《科学》杂志刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管，并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互补金属-氧化物-半导体）场效应晶体...
关键词：碳纳米管 金属-氧化物-半导体 信息科学技术学院 纳米晶体管 《科学》杂志 场效应晶体管 北京大学 CMOS 
1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第3期207-212,共6页应贤炜 王建浩 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 
极端低温下硅基器件和电路特性研究进展被引量：3
《微电子学》2015年第6期789-795,共7页解冰清 毕津顺 李博 罗家俊 
国家自然科学基金资助项目(11179003;61176095)
讨论了在极端低温下,硅基半导体在器件级和电路级特性的研究进展。在器件级,分析了极端低温下体硅器件和SOI器件常规电学特性的异常变化,讨论了一些只在极端低温下出现的特殊效应,如载流子冻结效应,阐述了极端低温下提取器件参数的方法...
关键词：极端低温 金属-氧化物-半导体 绝缘体上硅 载流子冻结效应 
高迁移率Ge沟道器件研究进展被引量：1
《物理学报》2015年第20期49-60,共12页安霞 黄如 李志强 云全新 林猛 郭岳 刘朋强 黎明 张兴 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00601);国家自然科学基金(批准号:61421005,61434007,60806033,61474004);国家科技重大专项(02专项)资助的课题~~
高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率,成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件极有潜力的候选材料.然而,对于Ge基MOS器件,其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS器件性能的提升,尤其是Ge NMOS器件.本文重...
关键词：高迁移率沟道 栅工程 源漏工程 金属-氧化物-半导体 
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