纳米晶体管

作品数：121被引量：16H指数：2
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基于亚10 nm环栅碳纳米晶体管的性能研究
《宁波工程学院学报》2024年第3期17-21,共5页陈露 沈林华 邓传馨 徐力 陈镇瓯 周裕鸿 
湖北省重点实验室开放课题项目(K202106);浙江省自然科学基金项目(LY21F040004);教育部重点实验室开放课题项目(KLISSS202409)。
为了进一步减小纳米器件尺寸,以一维环栅碳纳米晶体管为研究对象,采用密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理计算方法,探索在不同栅长和掺杂条件下晶体管的性能特性。研究表明:当电极掺杂浓度为5×10^(8)m^(-1)时,通过精确控制掺杂...
关键词：碳纳米晶体管 二维材料 低功耗 
基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计
《电子科技》2022年第4期8-13,共6页刘维祎 孙亚男 何卫锋 
国家自然科学基金(61704104)。
在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题。三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑操作数目和更快的运算速度。文中提出了一种基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计,其中三值逻...
关键词：三值存内逻辑 存储墙 阻变存储器 RRAM交叉阵列 多值单元 混合CMOS-MLC 三值加法器 碳纳米晶体管 
前沿科技动态
《科技中国》2020年第7期103-106,共4页
美国麻省理工学院证实碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用据TechXplore网2020年6月1日消息,美国麻省理工学院(MIT)研究人员证实,碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用。碳纳米场效应晶体管由微小的碳纳米管组合而成,体积比硅晶体管小100...
关键词：碳纳米场效应晶体管 商业化应用 纳米晶体管 前沿科技 实验室阶段 能源效率 速率提升 硅晶体管 
hBN层厚对MoS2/hBN异质结纳米晶体管光电特性的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2020年第2期131-136,共6页李海霞 毛凌锋 
国家自然科学基金资助项目(No.61774014);江苏省高校自然科学研究面上项目(No.19KJB510060);江苏省研究生科研与实践创新项目(No.KYZZ15_0331)
采用第一性原理方法研究了单层二硫化钼(MoS2)在1到7层六方氮化硼(hBN)衬底上构成的垂直范德华异质结的电子结构的精细演变过程,并对其光电特性进行了分析。不仅计算了hBN层数改变对异质结光学性质影响基础上,还进一步研究了hBN层数改...
关键词：第一性原理计算 六方氮化硼 二硫化钼 范德华异质结 
欧洲研究人员开发出由石墨烯纳米带制造的纳米晶体管
《新材料产业》2018年第1期85-85,共1页
据报道，近期，瑞士联邦材料科学与技术实验室联合马克斯普朗克聚合物研究中心和加州大学伯克利分校，共同开发出由石墨烯纳米带构建的纳米晶体管，向实现下一代纳电子器件研发迈出重要一步。
关键词：纳米晶体管 纳米带 研究人员 石墨 开发 制造 欧洲 科学与技术 
5纳米芯片
《光学精密机械》2017年第4期30-30,共1页
摩尔定律在20年前就被唱衰，但直到现在，半导体工程师们仍然发扬钉子精神，从方寸之地腾挪出无限空间。IBM公司研究团队6月在日本京都宣布，其在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管...
关键词：纳米芯片 纳米晶体管 IBM公司 摩尔定律 无限空间 工程师 半导体 集成 
最新工艺制造5纳米芯片
《光学精密机械》2017年第4期36-37,共2页
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志报道，这一出色表现有...
关键词：纳米芯片 工艺制造 纳米晶体管 电子元件 《光谱》 摩尔定律 IBM 工程师 
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
《科学家》2017年第11期I0034-I0034,共1页
近日，IBM在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小伪芯片上，从集成200亿个7纳米晶体瞥飞跃列7300亿个5纳米晶体管。这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小，更...
关键词：纳米芯片 工艺制造 IBM 纳米晶体管 摩尔定律 电子元件 
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
《信息技术与信息化》2017年第7期13-13,共1页
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更...
关键词：纳米芯片 工艺制造 IBM 纳米晶体管 摩尔定律 电子元件 
5纳米栅长碳纳米管
《光学精密机械》2017年第1期1-2,共2页
美国《科学》杂志刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管，并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互补金属-氧化物-半导体）场效应晶体...
关键词：碳纳米管 金属-氧化物-半导体 信息科学技术学院 纳米晶体管 《科学》杂志 场效应晶体管 北京大学 CMOS 
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