云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 林猛

林猛: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：北京大学更多>>; 发文主题：锗衬底界面态密度淀积MOS器件更多>>; 发文领域：电子电信历史地理金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>

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高迁移率Ge沟道器件研究进展被引量：1: 《物理学报》2015年第20期49-60,共12页安霞黄如李志强云全新林猛郭岳刘朋强黎明张兴; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00601);国家自然科学基金(批准号:61421005,61434007,60806033,61474004);国家科技重大专项(02专项)资助的课题~~; 高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率,成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件极有潜力的候选材料.然而,对于Ge基MOS器件,其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS器件性能的提升,尤其是Ge NMOS器件.本文重...; 关键词：高迁移率沟道栅工程源漏工程金属-氧化物-半导体