杨立杰

作品数：28被引量：45H指数：4
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：MMIC砷化镓GAAS可变衰减器相移更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《光学学报》《电子元器件应用》《功能材料与器件学报》更多>>
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一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT
《微电子学》2019年第3期422-426,共5页周峰 杨立杰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20130021)
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅...
关键词：SOI-LIGBT 高压互连线 双沟槽 击穿电压 
6.5 kV,5 A 4H-SiC 功率 DMOSFET器件
《固体电子学研究与进展》2019年第2期81-85,共5页杨立杰 李士颜 刘昊 黄润华 李赟 柏松 
报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^(15) cm^(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场...
关键词：SiC功率双注入金属氧化物半导体场效应晶体管 阻断电压 比导通电阻 
6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件
《固体电子学研究与进展》2019年第1期77-77,共1页李士颜 刘昊 黄润华 陈允峰 李赟 柏松 杨立杰 
与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景。南京电子器件研究所研制出一款6.5kV25ASiC功率DMOSFET器件。建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,...
关键词：SIC kV 25 A 4H-SIC DMOSFET 
6500 V SiC场限环终端设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期1-5,共5页杨同同 杨晓磊 黄润华 李士颜 刘奥 杨立杰 柏松 
针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场...
关键词：场限环 碳化硅 有限元仿真 结型势垒肖特基二极管 
2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第6期401-405,共5页应贤炜 王佃利 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管 
衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2016年第6期506-509,共4页刘昊 宋晓峰 柏松 刘奥 陈刚 杨立杰 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成...
关键词：4H-SIC 减薄 激光退火 
AlGaAs梁式引线PIN管及其应用被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第2期111-114 141,共5页李熙华 胡永军 姚常飞 吴翔 王霄 顾晓春 周剑明 杨立杰 
介绍了采用AlGaAs/GaAs异质结材料制作的梁式引线PIN管。该PIN管采用P+AlGaAs阳极异质结结构,GaAs圆片工艺,采用空气桥工艺连接正负电极引线。研制的PIN管VBR≥90V,CT≤0.022pF(VR=5V,f=1 MHz),RS≤4.9Ω(f=470 MHz,IF=20mA),τ≥5ns(IF...
关键词：ALGAAS PIN管 AlGaAs/GaAs异质结 梁式引线 单刀单掷开关 
4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
《固体电子学研究与进展》2013年第3期220-223,共4页黄润华 李理 陶永洪 刘奥 陈刚 李赟 柏松 栗锐 杨立杰 陈堂胜 
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结...
关键词：4H型碳化硅 结势垒肖特基二极管 终端保护 保护环 
高压SiC JFET研究进展
《固体电子学研究与进展》2013年第3期224-227,283,共5页陈刚 柏松 李赟 陶然 刘奥 杨立杰 陈堂胜 
利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET...
关键词：碳化硅 电力电子 垂直沟道结型场效应晶体管 
GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3
《固体电子学研究与进展》2013年第1期37-41,共5页蒋东铭 陈新宇 杨立杰 黄子乾 
采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d...
关键词：毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路 
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