陶永洪

作品数：14被引量：44H指数：4
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文主题：碳化硅SICH型4H-SIC界面态更多>>
发文领域：电子电信文化科学更多>>
发文期刊：《微电子学》《电工技术学报》《固体电子学研究与进展》《电力电子技术》更多>>
所获基金：国家电网公司科技项目国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金浙江省教育厅科研计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现被引量：2
《固体电子学研究与进展》2018年第5期311-315,323,共6页杨同同 陶永洪 杨晓磊 黄润华 柏松 
报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩...
关键词：SIC 有限元仿真 绝缘栅双极型场效应晶体管 
基于SM-JTE结构的4H-SiC器件被引量：2
《微电子学》2017年第4期572-575,580,共5页杨同同 柏松 黄润华 汪玲 陶永洪 
介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模型参数。首次提出了确定SM-JTE最优长度的方法。基于SM-JTE结构的4H-Si C器件具有优良的击穿特性。SM-JT...
关键词：SM-JTE 4H-Si C 结终端扩展 界面电荷 
SiC功率MOSFET器件研制进展被引量：4
《电力电子技术》2017年第8期1-3,共3页柏松 黄润华 陶永洪 刘奥 
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿...
关键词：金属-氧化物半导体场效应管 碳化硅 可靠性 
1200V碳化硅MOSFET设计
《固体电子学研究与进展》2016年第6期435-438,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
14kV-1 A SiC超高压PiN二极管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期365-368,共4页栗锐 黄润华 柏松 陶永洪 
设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。
关键词：4H-SIC PIN二极管 超高压 双结终端扩展 
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
《固体电子学研究与进展》2016年第3期187-190,共4页刘涛 陈刚 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进...
关键词：4H型SiC 垂直沟道结型场效应晶体管 沟槽刻蚀 
4H型碳化硅高温氧化工艺研究被引量：1
《智能电网》2016年第6期546-549,共4页钮应喜 黄润华 杨霏 汪玲 陈刚 陶永洪 刘奥 柏松 李赟 赵志飞 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方...
关键词：4H型碳化硅 界面态 碳化硅MOS电容 可靠性 
4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试被引量：9
《电工技术学报》2015年第17期63-69,共7页何骏伟 陈思哲 任娜 柏松 陶永洪 刘奥 盛况 
中央高校基本科研业务费专项资金(2014FZA4014);浙江省教育厅科研项目(Y201329864)资助
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 结型场效应晶体管 功率模块 
4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究被引量：1
《电子器件》2015年第4期725-729,共5页顾春德 刘斯扬 马荣晶 孙伟锋 黄润华 陶永洪 刘奥 汪玲 
港澳台科技合作专项项目(2014DFH10190);江苏省青蓝工程项目;东南大学研究生科研基金项目(YBPY1403)
通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM(High-Resolution Transmission Electron Microscopy)研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管JBS(Junction Barrier Schottky)在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究...
关键词：4H-SIC 结势垒肖特基二极管 反向浪涌峰值电压 优化 
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究被引量：6
《智能电网》2015年第2期99-102,共4页黄润华 钮应喜 杨霏 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-003)~~
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N...
关键词：界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor MOS)电容 可 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部