汪玲

作品数：8被引量：22H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：H型界面态碳化硅4H-SICSIC更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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基于SM-JTE结构的4H-SiC器件被引量：2
《微电子学》2017年第4期572-575,580,共5页杨同同 柏松 黄润华 汪玲 陶永洪 
介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模型参数。首次提出了确定SM-JTE最优长度的方法。基于SM-JTE结构的4H-Si C器件具有优良的击穿特性。SM-JT...
关键词：SM-JTE 4H-Si C 结终端扩展 界面电荷 
1200V碳化硅MOSFET设计
《固体电子学研究与进展》2016年第6期435-438,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第3期183-186,共4页汪玲 黄润华 刘奥 陈刚 柏松 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401)
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正...
关键词：4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环 
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
《固体电子学研究与进展》2016年第3期187-190,共4页刘涛 陈刚 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进...
关键词：4H型SiC 垂直沟道结型场效应晶体管 沟槽刻蚀 
4H型碳化硅高温氧化工艺研究被引量：1
《智能电网》2016年第6期546-549,共4页钮应喜 黄润华 杨霏 汪玲 陈刚 陶永洪 刘奥 柏松 李赟 赵志飞 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方...
关键词：4H型碳化硅 界面态 碳化硅MOS电容 可靠性 
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究被引量：6
《智能电网》2015年第2期99-102,共4页黄润华 钮应喜 杨霏 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-003)~~
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N...
关键词：界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor MOS)电容 可 
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
《固体电子学研究与进展》2014年第6期510-513,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第5期F0003-F0003,共1页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。
关键词：MOSFET 沟道 亚微米 SIC 南京电子器件研究所 自对准技术 加工工艺 导通电流 
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