常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET  

Development of 1200 V Normally-off SiC MOSFET with Submicron Gate

作　　者：黄润华[1] 陶永洪[1] 柏松[1] 陈刚[1] 汪玲[1] 刘奥[1] 卫能 李赟[1] 赵志飞[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第5期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关 键 词：MOSFET 沟道 亚微米 SIC 南京电子器件研究所 自对准技术 加工工艺 导通电流 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]