赵志飞

作品数：13被引量：27H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：SICH型碳化硅4H-SIC界面态更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《固体电子学研究与进展》《电子与封装》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划江苏省青年科技基金国家电网公司科技项目更多>>
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基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展
《固体电子学研究与进展》2023年第2期147-157,共11页赵志飞 王翼 周平 李士颜 陈谷然 李赟 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3602302)。
高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于4H-SiC优异的材料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕SiC MOSFET器件对外延材料的需求,介绍了国内外主流的SiC外延设备及国产SiC衬底的发展...
关键词：外延设备 单晶衬底 4H-SIC 同质外延 外延缺陷 
使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第4期329-334,共6页王翼 周平 赵志飞 李赟 
采用在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC薄膜进行了石墨烯的制备。首先在不同的C/Si比条件下进行3C-SiC薄膜的生长,然后通过对这些3C-SiC薄膜进行热分解来制备石墨烯。对C/Si比为2.21时生长的3C-SiC进行热分解,成功得到了石墨烯,其拉曼光谱2D...
关键词：3C-SIC 4H-SIC 石墨烯 C/Si比 热分解 
超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造被引量：4
《电子与封装》2022年第4期10-15,共6页杨晓磊 李士颜 赵志飞 李赟 黄润华 柏松 
国家重点研发计划(2018YFB0905700)。
自主设计和制备了一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件。通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功...
关键词：碳化硅 N沟道IGBT 超高压 载流子寿命提升技术 
15 kV/10 A SiC功率MOSFET器件设计及制备被引量：3
《固体电子学研究与进展》2021年第2期93-97,共5页李士颜 杨晓磊 黄润华 汤伟 赵志飞 柏松 
江苏省青年基金资助项目(SBK2021030242)。
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×10^(14)cm^(-3)的外延层上制备15 kV/10 A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果。对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,器件...
关键词：SiC功率MOSFET 阻断电压 15 kV 比导通电阻 动态特性 
超厚层4H-SiC同质外延材料
《固体电子学研究与进展》2019年第2期F0003-F0003,共1页李赟 李忠辉 赵志飞 王翼 周平 
缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三...
关键词：4H-SIC 外延材料 厚层 南京电子器件研究所 缺陷控制 三角形 同质外延 芯片性能 
1200V碳化硅MOSFET设计
《固体电子学研究与进展》2016年第6期435-438,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
《固体电子学研究与进展》2016年第3期187-190,共4页刘涛 陈刚 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进...
关键词：4H型SiC 垂直沟道结型场效应晶体管 沟槽刻蚀 
4H型碳化硅高温氧化工艺研究被引量：1
《智能电网》2016年第6期546-549,共4页钮应喜 黄润华 杨霏 汪玲 陈刚 陶永洪 刘奥 柏松 李赟 赵志飞 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方...
关键词：4H型碳化硅 界面态 碳化硅MOS电容 可靠性 
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
《固体电子学研究与进展》2014年第6期510-513,共4页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压...
关键词：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态 
基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究被引量：3
《人工晶体学报》2014年第10期2699-2704,共6页李赟 赵志飞 陆东赛 朱志明 李忠辉 
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比...
关键词：SIC衬底 外延 台阶形貌 均匀性 正交实验 
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