1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计  

Design of a 1200V/40A SiC Schottky Barrier Diode

作　　者：汪玲[1] 黄润华[1] 刘奥[1] 陈刚[1] 柏松[1] 

机构地区：[1]宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2016年第3期183-186,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401)

摘　　要：设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。A 40 ASiC Schottky barrier diode(SBD)diode with a breakdown voltage higher than 1 200 V was designed.The parameters of active region and termination were optimized by means of finite element simulation.The epilayer property of the N-type were 10μm with a doping of 6×1015 cm-3,and floating guard ring was used.The on-state voltage is 1.75 Vat 40A.

关 键 词：4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]