李理

作品数：6被引量：25H指数：4
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：SIC碳化硅SIT肖特基二极管4H-SIC更多>>
发文领域：电子电信核科学技术电气工程更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《固体电子学研究与进展》《原子能科学技术》更多>>
所获基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
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4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
《固体电子学研究与进展》2013年第3期220-223,共4页黄润华 李理 陶永洪 刘奥 陈刚 李赟 柏松 栗锐 杨立杰 陈堂胜 
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结...
关键词：4H型碳化硅 结势垒肖特基二极管 终端保护 保护环 
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7
《原子能科学技术》2013年第4期664-668,共5页蒋勇 吴健 韦建军 范晓强 陈雨 荣茹 邹德慧 李勐 柏松 陈刚 李理 
国家自然科学基金资助项目(11205140);中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2012B0103005)
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。...
关键词：中子探测器 宽禁带半导体 4H-SIC 
4H-SiC肖特基二极管α探测器研究被引量：4
《核电子学与探测技术》2013年第1期57-61,共5页陈雨 范晓强 蒋勇 吴健 白立新 柏松 陈刚 李理 
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2012B0103005)
碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探...
关键词：α探测器 肖特基二极管 4H—SiC 
SiC半导体探测器性能测量研究被引量：6
《核电子学与探测技术》2012年第12期1372-1375,1427,共5页蒋勇 范晓强 荣茹 吴建 柏松 李理 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2012B0103005);国家自然科学基金资助项目(11205140)
采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒...
关键词：SiC探测器 宽禁带 Α粒子 能量分辨率 
L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第6期536-539,共4页陶永洪 柏松 陈刚 李理 李赟 尹志军 
作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引...
关键词：L波段 碳化硅 静态感应晶体管 负载牵引 
SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期331-334,共4页李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 平均失效时间 
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