金属半导体场效应管

作品数：15被引量：14H指数：2
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晶体管微波大信号模型的研究
《科技经济导刊》2016年第29期30-,共1页陈辉 
在微波功率器件中,晶体管微波大信号的研究,一直是人们关注的问题。本文就对GaAsHEMT大信号进行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信号等效电路模型,对其中最重要的非线性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理论模型,进行了模拟结果与实验数据的比较,...
关键词：砷化镓 模型 金属半导体场效应管 
SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期331-334,共4页李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 平均失效时间 
太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算被引量：5
《红外与激光工程》2011年第7期1205-1208,共4页李凡 史衍丽 赵鲁生 徐文 
国家自然科学基金重点项目(U1037602)
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的...
关键词：金属半导体场效应管 太赫兹探测 I-V特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件 
Volterra级数法分析MESFET功率放大器被引量：1
《微电子学与计算机》2009年第11期98-101,共4页张伟 李霞明 吴保中 
国家自然科学基金项目(60472051)
功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能.文中使用Volterra级数法对MESFET功率放大器单频时的非线性性能进行分析,进而将该方法推广用于连续谱信号激励下的非线性性能分析,得出功放三阶互调及频谱再...
关键词：伏特拉级数 金属半导体场效应管 非线性 三阶互调失真 
伏特拉级数分析金属半导体场效应管放大器
《通信技术》2008年第3期49-51,共3页张伟 李霞明 吴保中 
功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能,因此各种功率放大器的性能分析成为热点。文中使用Volterra级数法对MESFET功率放大器单频时的非线性性能进行分析,进而将该方法推广用于连续谱信号激励下的...
关键词：VOLTERRA级数 金属半导体场效应管 功率放大器 非线性 三阶互调失真 
微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究被引量：1
《微波学报》2007年第B08期130-133,共4页徐跃杭 徐锐敏 延波 王磊 
在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取...
关键词：SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管) 小信号等效电路 GAAS MESFET 
4H-SiC MESFET器件工艺被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期565-567,共3页陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉 
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.
关键词：4H-SIC 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 
电子物理学——基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟
《中国学术期刊文摘》2006年第23期32-33,共2页贡顶 韩峰 王建国 
介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型，并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法．使用流体动力学模型，对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟，得到了该...
关键词：金属半导体场效应管 砷化镓2 维半导体模拟 流体动力学模型 AUSM+up格式 
高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响
《强激光与粒子束》2006年第11期1873-1878,共6页张寒峭 黄卡玛 
国家自然科学基金资助课题(60471045);国家863计划项目资助课题
采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不...
关键词：砷化镓场效应管 全局模型 电磁脉冲 时域有限差分 热效应 
基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟被引量：3
《强激光与粒子束》2006年第7期1134-1138,共5页贡顶 韩峰 王建国 
国家863计划项目资助课题
介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件...
关键词：金属半导体场效应管 砷化镓 2维半导体模拟 流体动力学模型 AUSM+up格式 
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