李哲洋

作品数：25被引量：36H指数：4
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发文主题：4H-SICSIC_MESFETMESFETSIC碳化硅更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
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2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第3期223-225,232,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 王雯 贾铃铃 柏松 陈辰 
在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势...
关键词：4H—SiC 结势垒肖特基二极管 高耐压 
1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第2期103-106,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 管邦虎 陈征 柏松 陈辰 
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接...
关键词：4H碳化硅 常开型 垂直沟道结型场效应晶体管 比导通电阻 
生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第2期107-110,共4页彭大青 李忠辉 李亮 孙永强 李哲洋 董逊 张东国 
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方...
关键词：金属有机化合物化学气相淀积 氮化镓 生长压力 位错 
UHF频段高功率SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期20-23,共4页陈刚 王雯 柏松 李哲洋 吴鹏 李宇柱 倪炜江 
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 静电感应晶体管 离子注入 
耐250°C高温的1200V-5A 4H-SiC JBS二极管被引量：6
《固体电子学研究与进展》2010年第4期478-480,549,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250°C下依旧能正常工作。研制...
关键词：4H碳化硅 结势垒肖特基二极管 快恢复二极管 
耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管
《固体电子学研究与进展》2010年第2期F0003-F0003,共1页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赞 陈辰 陈效建 
关键词：耐高温 二极管 电力电子器件 SIC 优良特性 高热导率 漂移速率 器件性能 
600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究被引量：4
《固体电子学研究与进展》2010年第2期292-296,共5页李宇柱 倪炜江 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃...
关键词：4H碳化硅 肖特基二极管 快恢复二极管 软度 
采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期611-614,共4页陈刚 秦宇飞 柏松 李哲洋 韩平 
研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进...
关键词：碳化硅 退火 肖特基势垒 理想因子 势垒高度 离子注入 
微波大功率SiC MESFET及MMIC被引量：5
《中国电子科学研究院学报》2009年第2期137-139,共3页柏松 陈刚 吴鹏 李哲洋 郑惟彬 钱峰 
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率...
关键词：SIC MESFET 微波功率 宽带 MMIC 
75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1347-1349,共3页李哲洋 董逊 张岚 陈刚 柏松 陈辰 
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过...
关键词：水平热壁式CVD 4H-SIC 同质外延 均匀性 
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