2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管  

2 700 V 4H-SiC JBS

作　　者：倪炜江[1] 李宇柱[1] 李哲洋[1] 李赟[1] 王雯[1] 贾铃铃[1] 柏松[1] 陈辰[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第3期223-225,232,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。The junction barrier schottky diodes （JBS） are fabricated on a 76.2 mm 4H-SiC wafer based on in-hourse epitaxy and device technology. At room temperature, the diodes have a blocking voltage up to 2 700 V, Threshold voltage is 0.8 V, and current density is 122 A/cm^2at VF=2 V with specific on resistance down to 8.8 mΩ· cm^2. The schottky contact barrier （qФB） of 1.24 eV and the ideality factor （n） of 1 are obtained.

关 键 词：4H—SiC 结势垒肖特基二极管 高耐压 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学] TN304.24