倪炜江

作品数：6被引量：14H指数：3
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发文主题：4H-SIC肖特基二极管二极管SIC快恢复二极管更多>>
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2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第3期223-225,232,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 王雯 贾铃铃 柏松 陈辰 
在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势...
关键词：4H—SiC 结势垒肖特基二极管 高耐压 
1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第2期103-106,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 管邦虎 陈征 柏松 陈辰 
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接...
关键词：4H碳化硅 常开型 垂直沟道结型场效应晶体管 比导通电阻 
UHF频段高功率SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期20-23,共4页陈刚 王雯 柏松 李哲洋 吴鹏 李宇柱 倪炜江 
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 静电感应晶体管 离子注入 
耐250°C高温的1200V-5A 4H-SiC JBS二极管被引量：6
《固体电子学研究与进展》2010年第4期478-480,549,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250°C下依旧能正常工作。研制...
关键词：4H碳化硅 结势垒肖特基二极管 快恢复二极管 
耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管
《固体电子学研究与进展》2010年第2期F0003-F0003,共1页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赞 陈辰 陈效建 
关键词：耐高温 二极管 电力电子器件 SIC 优良特性 高热导率 漂移速率 器件性能 
600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究被引量：4
《固体电子学研究与进展》2010年第2期292-296,共5页李宇柱 倪炜江 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃...
关键词：4H碳化硅 肖特基二极管 快恢复二极管 软度 
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