陈征

作品数：4被引量：8H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：SIC_MESFET4H-SICMESFETFET金属半导体场效应管更多>>
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SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期331-334,共4页李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 平均失效时间 
1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第2期103-106,共4页倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 管邦虎 陈征 柏松 陈辰 
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接...
关键词：4H碳化硅 常开型 垂直沟道结型场效应晶体管 比导通电阻 
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究被引量：2
《半导体技术》2008年第S1期241-243,共3页陈刚 李哲洋 陈征 冯忠 陈雪兰 柏松 
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干...
关键词：4H碳化硅 金属掩膜 金属-肖特基势垒FET 
S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期244-246,共3页柏松 陈刚 冯忠 钱峰 陈征 吴鹏 任春江 李哲洋 郑惟彬 蒋幼泉 陈辰 
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波...
关键词：碳化硅 金属半导体场效应晶体管 微波功率 单片微波集成电路 
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