静电感应晶体管

作品数：71被引量：23H指数：3
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埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究
《微电子学》2020年第5期755-760,共6页蔡浩 张霞 王斌 谭开洲 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802180503)。
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两...
关键词：静电感应晶体管 垂直双扩散MOSFET 单粒子烧毁效应 MEDICI 
基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究被引量：2
《电子科技》2016年第4期12-15,共4页王富强 瞿宜斌 马行空 
针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压<20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电...
关键词：静电感应晶体管 沟道势垒 器件仿真 
编者按
《电工电能新技术》2015年第9期1-16,28,共17页
20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 门极可关断晶闸管 半导体功率器件 绝缘栅双极型晶体管 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 编者 MOSFET 
表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究
《电子世界》2015年第16期106-108,共3页王富强 马行空 瞿宜斌 
为了研究静电感应晶体管(SIT)势垒形成机理,本文利用Silvaco Tcad软件模拟,仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系。通过改变反偏栅压和漏偏压,得出了器件沟道在完全夹断状态下,沟道势垒成马鞍型分布。反偏栅压影响着器件导通和...
关键词：静电感应晶体管 沟道势垒 鞍电势 
简介静电感应晶体管和静电感应晶闸管
《UPS应用》2015年第5期40-45,共6页曲学基 
静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件。是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件，文中简介它们的结构工作原理、基本特性和某些应用。
关键词：静电感应晶闸管 静电感应晶体管 电力电子器件 功率开关器件 工作原理 高频大功率 工作电流 结构 
短漂移区静电感应晶体管的特性研究
《半导体技术》2013年第3期194-198,共5页张琳娇 杨建红 刘亚虎 朱延超 
为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常...
关键词：静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间 
埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善
《固体电子学研究与进展》2012年第3期252-256,共5页王永顺 陈占林 汪再兴 
甘肃省自然科学基金资助项目(096RJZA091)
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄...
关键词：静电感应晶体管 保护沟槽 寄生电流 耐压容量 
复合结构静电感应晶体管的终端造型
《科技信息》2011年第25期I0011-I0012,共2页朱筠 李思渊 
甘肃省攻关项目(GS012.A52-064)
为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
关键词：复合结构SIT 限场环 切断环 
复合结构静电感应晶体管的终端造型
《科技视界》2011年第23期16-18,共3页朱筠 李思渊 
甘肃省攻关项目(GS012.A52-064)
为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
关键词：复合结构SIT 限场环 切断环 
UHF频段高功率SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期20-23,共4页陈刚 王雯 柏松 李哲洋 吴鹏 李宇柱 倪炜江 
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 静电感应晶体管 离子注入 
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