表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究  

作　　者：王富强[1] 马行空[1] 瞿宜斌 

机构地区：[1]93856部队

出　　处：《电子世界》2015年第16期106-108,共3页Electronics World

摘　　要：为了研究静电感应晶体管(SIT)势垒形成机理,本文利用Silvaco Tcad软件模拟,仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系。通过改变反偏栅压和漏偏压,得出了器件沟道在完全夹断状态下,沟道势垒成马鞍型分布。反偏栅压影响着器件导通和关断状态,漏偏压影响着势垒的高低,且二者相互依赖,共同影响着沟道势垒的形成。

关 键 词：静电感应晶体管 沟道势垒 鞍电势 

分 类 号：TN386.7[电子电信—物理电子学]