静电感应晶闸管

作品数：37被引量：12H指数：2
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编者按
《电工电能新技术》2015年第9期1-16,28,共17页
20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 门极可关断晶闸管 半导体功率器件 绝缘栅双极型晶体管 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 编者 MOSFET 
简介静电感应晶体管和静电感应晶闸管
《UPS应用》2015年第5期40-45,共6页曲学基 
静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件。是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件，文中简介它们的结构工作原理、基本特性和某些应用。
关键词：静电感应晶闸管 静电感应晶体管 电力电子器件 功率开关器件 工作原理 高频大功率 工作电流 结构 
直流电机车的交流化改造
《中国科技博览》2012年第18期77-77,共1页刘兆明 
介绍了用交流感应电动机代替矿用电机车的串励直流电动机的改造方法及用新型静电感应晶闸管实现交流感应电动机启动与调速的方案。
关键词：矿用电机车 变频器 交流化改造 静电感应晶闸管 
静电感应晶闸管开通过程的研究
《电力电子技术》2011年第1期106-108,共3页聂政 李思渊 
深入研究了静电感应晶闸管的开通时间、关断时间,它们受空穴存贮时间、栅宽、n-区的厚度、阳极电流及栅极抽出的峰值电流的影响,在工艺中需要折衷考虑。研究结果对于静电感应器件,特别是对于静电感应晶闸管的设计和制造有一定的实用价值。
关键词：静电感应晶闸管 开通时间 关断时间 
表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究
《半导体技术》2010年第4期325-328,共4页季涛 杨利成 
上海市高校选择培养优秀青年教师科研专项基金资助(gid-07037)
运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而...
关键词：静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点 
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
《半导体技术》2009年第11期1088-1091,共4页张荣 刘肃 李海蓉 
描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综...
关键词：静电感应晶闸管 负阻转折特性 双注入 高电平 复合效应 
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
《半导体技术》2009年第6期546-548,共3页岳红菊 刘肃 王永顺 李海蓉 
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴...
关键词：静电感应晶闸管 埋栅结构 台面刻蚀 栅阴击穿 表面缺陷 
静电感应晶闸管的I-V特性物理分析
《电力电子技术》2008年第12期23-25,共3页魏万印 刘肃 李海蓉 
甘肃省自然科学基金资助项目(3ZS051-A25-034)~~
考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命,特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素,对静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,简称SITH)在正向阻断态的整个I-V特性进行了分段物理分析,给出了理...
关键词：晶闸管 伏安特性/双注入 空间电荷限制效应 
半导体技术
《中国学术期刊文摘》2008年第16期141-144,共4页
场引晶体管双极理论：X．基本物理和理论（所有器件结构）；CMOS射频集成电路ESD保护的挑战；静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型；一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵。
关键词：半导体技术 CMOS射频集成电路 静电感应晶闸管 ESD保护 AC-DC MOS结构 器件结构 晶体管 
静电感应晶闸管的负阻转折特性被引量：1
《电子器件》2007年第1期54-56,共3页唐莹 刘肃 李思渊 胡冬青 常鹏 杨涛 
甘肃省自然科学基金资助项目(3ZS051-A25-034)
针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压...
关键词：SITH 负阻转折特性 少子寿命 大注入 
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