静电感应晶闸管开通过程的研究  

Research on the Turn-on Process of Static Induction Thyristor

作　　者：聂政[1] 李思渊[1] 

机构地区：[1]兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《电力电子技术》2011年第1期106-108,共3页Power Electronics

摘　　要：深入研究了静电感应晶闸管的开通时间、关断时间,它们受空穴存贮时间、栅宽、n-区的厚度、阳极电流及栅极抽出的峰值电流的影响,在工艺中需要折衷考虑。研究结果对于静电感应器件,特别是对于静电感应晶闸管的设计和制造有一定的实用价值。The dynamic parameters of static induction thyristor,just as turn-on time,turn-off time,are investigated.They are influenced by many parameters such as storage time of hole,gate width,the depth of the n-area,anode current and the peak current extracted from gates.They need a compromise decision.The results are useful for design and fabrication of static induction device,especially for static induction thyristor.

关 键 词：静电感应晶闸管 开通时间 关断时间 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]