CMOS射频集成电路

作品数：31被引量：63H指数：4
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相关作者：陈弘毅李永明石秉学王志功郑吉华更多>>
相关机构：清华大学北京理工大学东南大学浙江大学更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《电子器件》《固体电子学研究与进展》《国外科技新书评介》更多>>
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CMOS射频集成电路中多级放大器级间耦合方法被引量：1
《咸阳师范学院学报》2020年第6期25-28,共4页李铮 
2020年安徽省高等学校自然科学研究项目:CMOS射频集成电路多级放大器耦合降噪研究。
传统的放大器电路级间耦合方法存在噪声系数达不到电路指标要求的情况,导致耦合效果较差。文中提出一种新的CMOS射频集成电路中多级放大器级间耦合方法。通过CMOS射频集成电路模型提取多级放大器的级间参数,利用输入输出参数完成放大器...
关键词：射频集成电路 多级放大器 级间耦合 输出参数 噪声系数 等效电路 
CMOS射频集成电路的现状与进展分析
《集成电路应用》2020年第3期90-91,共2页郭金宇 
湖北教育系统科技创新课题项目
基于CMOS射频集成电路在通信技术发展的重要基础,它是通信领域的研究热点。论述CMOS射频集成电路的研究成果,CMOS射频集成电路中的功能单元,及其未来发展的展望。
关键词：CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 混频器 
一种应用于CHPAV2.0的高速EoC Tuner芯片
《微电子学》2018年第4期491-495,共5页廖友春 张钊锋 程帅 黄兆磊 李娟 
上海市科委基金资助项目(12DZ1500900;13511502600)
设计了一种用于C-HomePlug AV(CHPAV)2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片。该芯片支持的射频频率范围为0.3~1.3GHz,中频最高支持300 MHz带宽。芯片集成双LNA和双PA,提供灵活的增益配置,并有利于噪声与线性度的折中优化。...
关键词：宽带收发器 CHPAV2.0 同轴以太网 低功耗 CMOS射频集成电路 
《CMOS射频集成电路》课程教学探索被引量：2
《读写算（教师版）（素质教育论坛）》2016年第8期7-7,共1页周前能 杨虹 庞宇 
重庆市高等教育学会高等教育科学研究课题，重庆市教育科学"十二五"规划2014年度规划课题/重庆市高等教育教学改革研究重点项目，重庆邮电大学校级教学改革项目，重庆邮电大学宜伦学院实验班项目-微电子科学与工程专业实验班
《CMOS射频集成电路》是微电子科学与工程专业的重要专业基础课之一，具有专业性强、内容更新较快等特点。为培养适应现代科学的射频集成电路设计人才，本文对《CMOS射频集成电路》课程教学进行探索，以期改善教学效果。
关键词：CMOS 射频集成电路 教学探索 
采用多级噪声抵消技术的CMOS全差分LNA设计
《电路与系统学报》2013年第1期90-94,101,共6页姚春琦 毛陆虹 张世林 谢生 
设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器(LNA)。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减小了电路的噪声而且增加了系统的线性度。芯片采用标准UMC 0.18um CMOS工艺,工作电压为1.2V时,消耗电流...
关键词：低噪声放大器 噪声消除技术 线性度改善技术 CMOS射频集成电路 
0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第10期37-41,46,共6页张弘 梁元 
中央高校基本科研业务费(K50510250010)
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz...
关键词：CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道 
CMOS射频集成电路与系统的设计
《国外科技新书评介》2012年第7期18-19,共2页Kiat Seng Yeo(著) 孙方敏 
大众消费市场对无线电子设备的大量需求促进了无线电收发机的进一步集成化水平。射频（RF）CMOS技术的迅速发展，实现了射频集成电路和系统的小体积、高性能和低成本。本书从射频集成电路的基础知识开始，首先介绍了相关的基本概念，然...
关键词：CMOS射频集成电路 电路设计 系统 CMOS技术 电子设备 消费市场 基础知识 工程原理 
用于CMOS射频集成电路中多级放大器级间耦合的片上变压器的设计方法与模型被引量：1
《清华大学学报（自然科学版）》2011年第3期328-333,共6页李萌 余志平 
国家"九七三"重点基础研究发展计划项目(2006CB302705)
为了设计最优的级间耦合变压器以最大化多级放大器的增益,提出了一种N∶1片上变压器的版图设计方法,建立了基于物理的变压器集约等效电路模型。对于5 GHz下工作的变压器耦合两级放大器,利用该设计方法找到了最优的变压器结构参数。将三...
关键词：片上变压器 阻抗匹配 设计方法 电磁场仿真 
半导体技术
《中国学术期刊文摘》2008年第16期141-144,共4页
场引晶体管双极理论：X．基本物理和理论（所有器件结构）；CMOS射频集成电路ESD保护的挑战；静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型；一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵。
关键词：半导体技术 CMOS射频集成电路 静电感应晶闸管 ESD保护 AC-DC MOS结构 器件结构 晶体管 
多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用被引量：1
《电子器件》2008年第4期1150-1154,共5页沈怿皓 张润曦 张炜杰 陈亦灏 李勇 景一欧 赖宗声 
上海市科委项目资助(AM-06SA14);江苏省ASIC设计重点实验室资助(JSICK0601);上海市科委基金项目资助(AM07SA04)
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多...
关键词：CMOS射频集成电路 双曲正切法则 线性度 混频器 
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