超宽带低噪声放大器

作品数：86被引量：158H指数：7
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0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
6.5~10 GHz超宽带低噪声放大器的抗干扰设计被引量：1
《电子学报》2023年第7期1970-1976,共7页高宇飞 雷倩倩 徐化 刘启航 李连碧 冯松 
国家重点研发计划(No.2018YFB2200500)。
本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波...
关键词：超宽带 零极点分析 LC滤波器 低噪声放大器 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
射电天文4-40 GHz超宽带低噪声放大器设计
《天文学报》2022年第4期50-58,共9页潘北军 陈卯蒸 王浩辉 闫浩 宁云炜 
国家重点研发计划(2018YFA0404703)资助。
超宽带接收机面临众多技术挑战,而关键技术难点之一是超宽带低噪声放大器.采用以砷化镓材料为基底的70 nm栅长改性高电子迁移率晶体管和双电源偏置4级放大电路结构,设计了一款4–40 GHz超宽带低噪声单片微波集成放大器,完整覆盖C、X、Ku...
关键词：望远镜 技术:射电天文 技术:其他诸多方面 
一种0.5~9.2 GHz超宽带低噪声放大器设计被引量：1
《微电子学》2022年第3期393-398,405,共7页杨华光 徐燕萍 胡斯哲 周继东 岳宏卫 
国家自然科学基金资助项目(12064003)。
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的...
关键词：超宽带 电阻反馈 电感峰化技术 伪电阻 
抗干扰全集成超宽带低噪声放大器的设计被引量：1
《电子设计工程》2022年第10期81-84,89,共5页高宇飞 雷倩倩 潘诚 刘启航 
国家重点研发计划项目(2018YFB2200500)。
设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(LowNoise Amplifier,LNA)。通过在LNA中集成无源陷波滤波器来抑制5~6 GHz的带外信号,并分析了片上电感的寄生参数对滤波效果的影响;采用并联电阻反馈共源共栅结...
关键词：陷波滤波器 宽带高频放大器 低噪声放大器 UWB 
基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计被引量：3
《传感器与微系统》2021年第3期84-86,92,共4页黄国皓 黄玉兰 杨小峰 
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器。选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器...
关键词：分布式放大器 GaAs pHEMT工艺 超宽带 单片微波集成电路 
2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制被引量：7
《天文研究与技术》2019年第3期278-284,共7页文晓敏 李斌 
国家自然科学基金(11473060,11590784)资助
低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为...
关键词：低噪声放大器 GAAS MHEMT 超宽带 单片微波集成电路 
一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器被引量：2
《仪表技术与传感器》2019年第7期109-113,共5页刘丹丹 马铭磷 
提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术...
关键词：低噪声放大器 跨导增强技术 电流复用技术 噪声抵消技术 噪声系数 增益 
2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计被引量：8
《现代电子技术》2019年第7期108-111,共4页吴晓文 陈晓东 刘轶 
中国亚太经合组织合作基金(Y6260P1401)~~
文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实...
关键词：INGAAS 并联负反馈 低噪声放大器 S波段 C波段 超宽带 
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