云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MHEMT

MHEMT: 作品数：20被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Science Bulletin》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金中国科学院微电子研究所所长基金更多>>

2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制被引量：7: 《天文研究与技术》2019年第3期278-284,共7页文晓敏李斌; 国家自然科学基金(11473060,11590784)资助; 低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为...; 关键词：低噪声放大器 GAAS MHEMT 超宽带单片微波集成电路

基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计: 《电子设计工程》2019年第14期55-58,共4页官劲龚敏高博陆雨茜; 设计了一种基于70nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50MHz到3GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15dB...; 关键词：MMIC LNA 70nm GAAS MHEMT 负反馈宽带

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第1期17-20,37,共5页曾建平安宁李志强李倩唐海林刘海涛梁毅; 国家自然科学基金-面上资助项目(61474102); 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅...; 关键词：T型栅应变高电子迁移率晶体管电流增益截至频率最高振荡频率

一种D波段低噪声放大器芯片设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第5期653-656,共4页刘杰蒋均石向阳田遥岭; 提出了一种晶体管器件模型修正方法,校准了Ommic公司D007IH工艺中D波段晶体管模型和D波段共面波导传输线电路模型。该校准方法中通过与共面波导(CPW)三维模型仿真结果的曲线拟合,确定了D波段传输线电路模型的介电常数;通过与CGY2191UH...; 关键词：D波段低噪声放大器单片微波集成电路改变结构高电子迁移率晶体管(mHEMT) 参数提取 D007IH工艺

漏/阻双模高性能D波段无源混频器被引量：1: 《浙江大学学报（工学版）》2016年第9期1815-1822,共8页张胜洲孙玲玲文进才刘军; 国家自然科学基金资助项目(61331006;60906015);浙江省自然科学基金资助项目(LY16F040004); 介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻...; 关键词：漏/阻双模 D波段共面波导(CPW) 变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 优良指数(FOMs)

InGaAs纳电子学的进展被引量：1: 《微纳电子技术》2016年第4期209-219,226,共12页赵正平; InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,...; 关键词：纳电子学 INGAAS INAS InP高电子迁移率晶体管(HEMT) GaAs变构高电子迁移率晶体管(MHEMT) InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 太赫兹后互补金属氧化物半导体(CMOS)

Hetero-epitaxy of L_g= 0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications被引量：1: 《Chinese Physics B》2015年第8期529-533,共5页黄杰黎明赵倩顾雯雯刘纪美; supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61401373);the Fundamental Research Funds for Central University,China(Grant Nos.XDJK2013B004 and 2362014XK13);the Chongqing Natural Science Foundation,China(Grant No.cstc2014jcyj A40038); In this work, a hetero-epitaxial Al0.49In0.51As/Ga0.47In0.53 As metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) grown by metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD) on p-type silicon substrate has been succes...; 关键词：AlInAs/GaInAs silicon metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) multip

W波段单片低噪声放大器被引量：1: 《微波学报》2014年第S1期113-115,共3页张健王磊王维波程伟康耀辉陆海燕李欧鹏谷国华王志刚徐锐敏; 本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz...; 关键词：MMIC 低噪声放大器 GAAS MHEMT W波段

空间应用Ka频段MHEMT单片低噪声放大器设计被引量：1: 《空间电子技术》2012年第4期67-70,89,共5页孙逸帆王婷霞徐鑫朱光耀和新阳; 文章介绍了一种空间用Ka频段MHEMT三级MIC低噪声放大器的设计,放大器最小噪声系数为1.5dB,增益为30 dB,回波损耗10 dB。该低噪声放大器成品率高,性能指标优于目前同类商业芯片指标。; 关键词：KA频段 MMIC 低噪声放大器

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2009年第3期352-355,共4页王维波王志功张斌康耀辉吴礼群杨乃彬; 报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39...; 关键词：砷化镓变性高电子迁移率晶体管单片压控振荡器相位噪声

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