MOS结构

作品数：95被引量：92H指数：4
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IGBT表面MOS结构的研究
《内江科技》2024年第6期35-36,共2页赵田 
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 MOS结构 功率半导体器件 IGBT 电力电子技术 全控型电力电子器件 计算机仿真软件 BJT 
一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构
《桂林电子科技大学学报》2023年第6期439-445,共7页姜焱彬 李琦 王磊 杨保争 何智超 
国家自然科学基金(61464003)。
为了实现低比导通电阻(Ron,sp)和高击穿电压(VBV),提出并仿真一种利用多个P埋层与阶跃掺杂漂移区的低导通电阻高电压SOI LDMOS(PL-SOI LDMOS)结构。PL-SOI LDMOS结构由多个不同的P埋层组成,其长度与浓度均在垂直方向依次递减。利用多个...
关键词：击穿电压 比导通电阻 多埋层 阶跃掺杂 LDMOS 
一种具有两层堆叠的LDMOS结构被引量：1
《桂林电子科技大学学报》2021年第2期106-112,共7页党天宝 李琦 黄洪 姜焱彬 王磊 
国家自然科学基金(61464003,61874036);广西自然科学基金(2018GXNSFAA281201);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2020YCXS033)。
为了缓解LDMOS中比导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,提出了一种具有2层堆叠结构的LDMOS器件。该结构由2个独立的LDMOS器件堆叠形成,因而在此器件导通时,2个LDMOS的漂移区形成了2条电流路径,且由于上层LDMOS的衬底能够将2条电流路径隔...
关键词：两层堆叠 击穿电压 比导通电阻 LDMOS 2条电流路径 
发光窗口对MOS结构硅LED电光性能的影响
《发光学报》2020年第7期834-838,共5页吴克军 黄兴发 李则鹏 易波 赵建明 钱津超 徐开凯 
四川省科技计划(2020JDJQ0022);国家重点研发项目(2018YFE0181500);国家自然科学基金(61674001,61704019)资助项目。
通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8...
关键词：硅基发光器件 CMOS工艺 发光窗口 
基于Keithley 4200A-SCS使用斜率法实现MOS结构QSCV测量的研究
《梧州学院学报》2019年第6期10-16,共7页聂凯 
2015年安徽省大学生创客实验室建设计划项目(2015ckjh143);2017年安徽省大规模在线开放课程(MOOC)示范项目(2017mooc026)。
C-V测量是半导体特征分析与测试的基础。半导体器件参数优劣等常用该测试方法进行判断,文章研究了基于4200A-SCS参数分析平台使用斜率法实现对MOSFET器件进行QSCV测量。相较于传统的需在交流环境下完成的CV测量,该文所述使用斜率法主要...
关键词：斜率法 QSCV测量 SMU 
基于混合SETMOS结构的超前进位加法器
《电子制作》2019年第17期9-12,共4页曲航 刘德州 周海力 侯兴华 
通过混合SETMOS电路设计来代替环境适应性不高的纯单电子晶体管电路,并在此基础上构建了一种新的混合超前进位加法器。首先利用SETMOS生成几种基础逻辑门,进而基于超前进位加法器的原理组合这些门,通过软件仿真验证最终生成的纳电级加...
关键词：环境适应性 单电子晶体管 超前进位加法器 逻辑门 正常室温 
γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究
《强激光与粒子束》2019年第6期114-118,共5页丁曼 
国家自然科学基金青年基金项目(51507049)
使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射...
关键词：氧化铪 金属-氧化物-半导体器件 伽马射线 电离总剂量效应 
LV/HV P-Well BCD[B]技术(1)的芯片与制程剖面结构被引量：4
《集成电路应用》2018年第6期41-45,共5页潘桂忠 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
LV/HV P-Well BCD[B]技术(1)能够实现低压5 V与高压100～700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓...
关键词：集成电路制造 HV LDMOS结构 LV/HV P-WELL BCD[B]芯片结构 制程剖面结构 
高性能MOS结构高频CV特性测试仪的研制被引量：1
《科技创新导报》2017年第31期148-150,共3页付强 刘晓为 王蔚 张宇峰 王喜莲 
高频CV特性测试仪,属于半导体器件特性测量领域。为解决目前市面上C-V特性测试仪低分辨率、低线性度的问题,本测试仪采用高频调制原理抑制低频噪声,采用平方率检波原理实现低失真电容测量。该仪器基于高性能单片机控制,实现独立人机交...
关键词：高频CV特性 半导体器件 人机交互 
MOS结构栅面积对少子产生寿命测量的影响研究
《集成电路应用》2017年第7期40-45,共6页周颖 岳丰 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
少子寿命直接与半导体器件的性能有关,是半导体器件设计与表征的基本电学参数之一。由于少子寿命这一参数对于半导体中起少子复合中心和陷阱作用的杂质和缺陷非常敏感,它的大小会直接影响MOS型DRAM(动态随机存储器)的刷新时间、PN结漏...
关键词：集成电路制造 MOS 栅 少子 寿命 
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